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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDZ191P 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R

内部编号

3-FDZ191P

#1

数量:255000
1+¥2.6197
25+¥2.4656
100+¥2.3885
500+¥2.2344
1000+¥2.1574
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:5143
1+¥4.171
10+¥3.4941
100+¥2.2564
1000+¥1.8052
5000+¥1.5248
10000+¥1.4633
25000+¥1.4086
50000+¥1.3539
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:9800
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDZ191P产品详细规格

规格书 FDZ191P datasheet 规格书
FDZ191P datasheet 规格书
FDZ191P datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3A
Rds(最大)@ ID,VGS 85 mOhm @ 1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 13nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 800pF @ 10V
功率 - 最大 900mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-UFBGA, WLCSP
供应商器件封装 6-WLCSP
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated EYGA121807A
EYGA091203SM

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